总结前述应急电源中的IGBT器件在并联的各种影响因素，可以得到IGBT器件并联的基本原则如下：

（1）选取同一批次中特性一致的NPT型IGBT器件进行并联；

（2）每个IGBT器件选用同样的驱动电路，且使用独立的栅极电阻；

（3）尽可能使驱动电路和驱动双绞线布局对称且采用尽可能短的引线；

（4）并联模块均匀布置在同一块散热器上，以获得最优化的热耦合。

结合以上原则，设计了并联性能良好的驱动电路原理，见图1，其中R_Gon和R_Goff为驱动末级中共同的栅极前置电阻，图中的附加驱动电阻R_Gonx和R_Goffx起着阻尼栅极-发射级或栅源回路内的寄生振荡的作用，且可以中和因不同的转移特性所引起的负面影响，R_Gonx和R_Goffx取值应在0.5-2欧姆之间。电阻R_Ex的作用是抑制经过辅助发射极的平衡电流。其数值大约为0.5欧姆。采用V_CEsat实现过流和短路保护是最有效的保护方法，电阻R_cx用来确定V_CE实际平均值，数值大约为47欧姆。

图1 优化的IGBT器件并联原理图

即使模块选择、驱动电路和线路布置都已经达到了最优化，但其静态和动态仍然不可能达到理想的均衡。因此，总的开关电流相对于额定负载电流必须有一个适度的降额。从多种不同应用的实际经验出发，推荐使用大约15%-20%的降额幅度。