为了变流器可靠并联，分析应急电源中的IGBT开关过程是十分必要。IGBT的开通和关断过程曲线见图1。

开通过程由4部分时间组成：

（1）从外加驱动脉冲到栅-射电压充电到U_GEth，称为开通延迟时间t_d；

（2）集电极电流从0到90%稳态值称为电流上升时间t_ri，在t_d、t_ri时间内，栅-射极间电容在外施正电压作用下充电，且按指数规律上升；

（3）MOSFET工作时漏-源电压下降时间称为t_fv1；

（4）MOSFET和GTR晶体管同时工作时漏-源电压下降时间称为t_fv2，在t_fv1、t_fv2这一时间段内MOSFET开通，流过对GTR的驱动电流，栅-射极电压基本维持IGBT完全导通后驱动过程结束。栅-射极电压再次按指数规律上升到外施栅极电压值。

从开通过程来看，IGBT可看作MOSFET驱动的GTR，其开通过程大部分时间是作为MOSFET来运行，其余时间作为MOSTET和GTR共同运行。

相应地，IGBT关断过程也可分为四个阶段：

（1）向栅极施加负压，MOSFET输入电容放电，内部PNP晶体管仍然导通，在最初阶段里，关断的延迟时间t_d和电压U_CE的上升时间t_rv；

（2）集电极电流下降到到10%稳态值称为电流下降时间t_ri；

（3）MOSFET的关断过程用t_fi1表示；

（4）t_fi2由PNP晶体管中存储电荷所决定，此时已建立了漏源电压，下降时间越短越好。