创统EPS应急电源的核心部件——绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT），是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，其内部结构如图1所示，大功率IGBT模块实物如图2所示。自IGBT商业化应用以来，作为新型功率半导体器件的主型器件，IGBT在1-100kHz的频率应用范围内占据重要地位，其电压范围为600V-6500V，电流范围为1A-3600A。IGBT广泛应用于工业、航空航天、国防军工等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域^[。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。在未来很长一段时间内，为适应全球降低CO₂排放的战略需要，IGBT必将扮演更为重要的角色，是节能技术和低碳经济的重要支点。

                                                                                  图1   IGBT结构图                                      图2 大功率IGBT模块